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通过对160个厘米级FETs的统计分析表明，据环境下器件成品率94%、迁移率变化为15%，由此进一步证明了C/A蓝宝石上的单晶MoSe2。力企略（c）C/A（红色）和C/M（蓝色）底物上反平行结构域的统计分布。

此外，业信该方法还可以生长MoSe2单晶，表明其可以推广到其它许多2D材料。【图文解读】图一、息安蓝宝石（0001）基底与外延生长的关系（a,d）C/M和C/A蓝宝石（0001）晶片上的台阶取向以及相应的外延MoS2畴对齐。蓝宝石（晶状α-Al2O3）在III-V半导体工业中被广泛用作外延基底，全保其有一个六边形晶格，平面内a=b=4.76Å，平面外c=12.996Å，由六层交替的Al-O-Al原子组成。

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据环境下（b）AFM振幅图像说明畴边缘和表面台阶之间的关系。

（b）151个MoS2FET的传输特性，力企略距离（a）中标记区域的沟道长度为50μm。研究者发现当材料中引入硒掺杂时，业信锂硫电池在放电的过程中长链多硫化物的生成量明显减少，业信从而有效地抑制了多硫化物的穿梭效应，提高了库伦效率和容量保持率，为锂硫电池的机理研究及其实用化开辟了新的途径。

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利用原位TEM等技术可以获得材料形貌和结构实时发生的变化，障策如微观结构的转化或者化学组分的改变。近日，大数的电王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。